电子元器件辐射系数电子元器件辐射系数表电磁阀

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1、docx文档大小：12.6K文档页数：2页顶/踩数：0/0收藏人数：0评论次数：0文档热度：文档分类：待分类系统标签：抗辐射电子元器件晶体管器件二极管极晶体管。在抗辐射加固电子系统的设计中，一个首要的任务是如何合理地选择电子元器件。选择的一般原则是，所选用的器件既能实现系统的电气性能指标，又具有较好的抗辐射潜力。

2、双极型器件抗中子辐照的能力差，最敏感的参数是电流放大系数hFE。MOS器件抗电离辐照的能力差，最敏感的参数是阀值电压VT。MOS场效应管的抗中子辐射能力比双极晶体管高1～2个数量级，但它的抗电离辐射能力却比双极晶体管低2～3个数量级。在分立半导体器件中，闸流管、单结晶体管和太阳能电池的抗辐射能力最差，所以应该尽可能避免在辐射环境中使用此类器件。

电子元器件辐射系数相关拓展

电子元器件辐射系数是多少

在二极管中隧道二极管的抗辐射能力最强，其次为电压调整二极管和电压基准二极管，普通的整流二极管最差。在具有不同的参数指标、结构或管芯材料的双极二极管中，大功率晶体管的抗辐射能力优于小功率晶体管，高频晶体管优于低频晶体管，开关晶体管优于放大晶体管，锗晶体管优于硅晶体管，npn晶体管优于pnp晶体管。在相同类型的器件中，工作频率越高，工作电流越大，开关时间越短，或者额定电源电压越高，则抗辐射能力越强。

用相同工艺和材料制作的微处理器电路，要求10V电源的电路比要求5V电源的电路抗辐射能力强，因为10V电源有3V的噪声容限，而5V电源只有15V的噪声容限。2022年01月江西省上饶市部分事业单位（教育类）2022年公开招聘高层次人才强化练习卷vii【3套】带答案详解析。

电子元器件辐射系数表

照的能力差，最敏感的参数是阀值电压VT。MOS场效应管的抗中子辐射能力比双极晶体管高1～。2个数量级，但它的抗电离辐射能力却比双极晶体管低2～3个数量级。在分立半导体器件中，闸流管、单结晶体管和太阳能电池的抗辐射能力最差，所以应该尽。可能避免在辐射环境中使用此类器件。在二极管中隧道二极管的抗辐射能力最强，其次为电压调整二极管和电压基准二极管，普。

在具有不同的参数指标、结构或管芯材料的双极二极管中，大功率晶体管的抗辐射能力优。于小功率晶体管，高频晶体管优于低频晶体管，开关晶体管优于放大晶体管，锗晶体管优于硅晶。npn晶体管优于pnp晶体管。在不同类型的器件中，半导体二极管的抗辐射能力优于晶体管三极管，结型场效应管的抗。

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